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变容二极管(Varactor Diodes)又称"可变电抗二极管"。材料多为硅或砷化镓单晶，并采用外延工艺技术。

它一种利用PN结电容（势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二极管，其结构图所示。

变容二极管的作用是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器件，在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。

变容二极管属于反偏压二极管，改变其PN结上的反向偏压，即可改变PN结电容量。反向偏压越高，结电容则越少，反向偏压与结电容之间的关系是非线性的。

变容二极管的电容值与反向偏压值的关系图解：

(a) 反向偏压增加，造成电容减少；

(b) 反向偏压减少，造成电容增加。

反偏电压愈大，则结电容愈小。

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