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TVS瞬态抑制二极管的主要参数

① VBR :Reverse Breakdown Voltage (反向崩溃电压即击穿电压)

定义: 当TVS 流过规定的1mA 电流（ IR ）时,测德TVS 两极间的电压VBR 是TVS 最小的雪崩电压。25℃时,在这个电压之前,TVS 是不导通的, 当瞬态电压超过VBR ,瞬态电压抑制二极管便产生崩溃把瞬态电压抑制在某个水平, 提供瞬态电流一个超低电阻通路,让瞬态电流透过瞬态电压抑 制二极管被引开, 避开被保 护元件。

② IR: Reverse Leakage Current (反向漏电电流)

当最大反向工作电压施加到TVS上时,TVS管有一个漏电流IR,一般都会有10-100μA的反向漏电电流。当TVS用于高阻抗电路时,这个漏电流是一个重要的参数。

③ VRWM: 最大反向工作电压 (Reverse Stand-off Voltage:可承受的反向电压)是器件反向工作时，在规定的IR下，器件两端的电压值。此时二极管为不导通之状态，通常VRWM=（0.8~0.9）VBR。使用时,应使VRWM不低于被保护器件或线路的正常工作电压。

④ VC(max ):最大箝位电压(TVS diode Clamping Voltage :抑制电压)

在脉冲峰值电流Ipp 作用下,器件两端的最大电压值称为最大箝位电压。使用时,应使VC(max )不高于被保护器件的最大允许安全电压。最大箝位电压与击穿电压之比称为箝为系数。即:箝位系数=VC(max )/VBR一般箝位系数为1.3左右。

⑤ Cj:TVS diodeJunction Capacitance (瞬态二极管的电容值)

TVS的电容由硅片的面积和偏置电压来决定,电容在零偏情况下,随偏置电压的增加,该电容值呈下降趋势。电容的大小会影响TVS器件的响应时间。瞬态电压抑制二极管的电容值越大对电路的干扰越大, 形成噪音越大或衰减 讯号强度越大, 对于数据/讯号频率越高的回路,电容值不大于10pF。

⑥ IPP:最大的峰值脉冲电流。

在反向工作时,在规定的脉冲条件下,器件允许通过的最大脉冲峰值电流。

⑦ PPR:反向脉冲峰值功率。

TVS的PPR取决于脉冲峰值电流IPP和最大箝位电压VC,除此以外,还和脉冲波形、脉冲时间及环境温度有关。